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IPB023N06N3 G

廠(chǎng)家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2062
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

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IPB023N06N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPB023N06N3GATMA1 IPB023N06N3GXT SP000453048
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：62 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：1000
功率耗散：214000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：140 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB023N06N3 G的詳細(xì)信息，包括IPB023N06N3 G廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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