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IPB031NE7N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3
數(shù)量：: 1650
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPB031NE7N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GXT SP000641730
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：88 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：150 S, 75 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB031NE7N3 G的詳細(xì)信息，包括IPB031NE7N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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