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IPB029N06N3GE8187ATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3
數(shù)量：: 6849
說明：: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

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IPB029N06N3GE8187ATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：188W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：13000 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：165 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 118μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.2 毫歐 @ 100A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是IPB029N06N3GE8187ATMA1的詳細信息，包括IPB029N06N3GE8187ATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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