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IPB025N08N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數(shù)量：
 1071  
說(shuō)明：
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A
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IPB025N08N3 G PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GXT SP000311980
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：86 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：73 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：33 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0025 Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB025N08N3 G的詳細(xì)信息，包括IPB025N08N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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