日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET小信號晶體管 > BG 3123R E6327

BG 3123R E6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-363
數量：: 7038
說明：: 射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

一、本商品被瀏覽0次.

BG 3123R E6327 PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：BG3123RE6327XT
工廠包裝數量：12000
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：200 mW
漏極連續(xù)電流：0.025 A
閘/源擊穿電壓：6 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管
制造商：Infineon

以上是BG 3123R E6327的詳細信息，包括BG 3123R E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管