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BG 3430R E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 SOT-363
數(shù)量:
 3636  
說明:
 射頻MOSFET小信號晶體管 RF MOSFET 25mA 200mW
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BG 3430R E6327-SOT-363圖片

BG 3430R E6327 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

零件號別名:BG3430RE6327XT
工廠包裝數(shù)量:9000
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:200 mW
漏極連續(xù)電流:0.025 A
閘/源擊穿電壓:+/- 6 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET小信號晶體管
制造商:Infineon

以上是BG 3430R E6327的詳細信息,包括BG 3430R E6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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