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BG 3130R H6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-363
數(shù)量：: 3618
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF MOSFETS

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BG 3130R H6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BG3130RH6327XT BG3130RH6327XTSA1 SP000753496
工廠包裝數(shù)量：3000
系列：BG3130
功率耗散：200 mW
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：6 V
漏極連續(xù)電流：25 mA
汲極/源極擊穿電壓：12 V
增益：24 dB
頻率：800 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是BG 3130R H6327的詳細信息，包括BG 3130R H6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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