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BG 3130 H6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 SOT-363
數(shù)量:
 3600  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RF MOSFETS
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BG 3130 H6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:BG3130H6327XT BG3130H6327XTSA1 SP000753494
工廠包裝數(shù)量:3000
系列:BG3130
功率耗散:200 mW
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-363
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:6 V
漏極連續(xù)電流:25 mA
汲極/源極擊穿電壓:12 V
增益:24 dB
頻率:800 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是BG 3130 H6327的詳細(xì)信息,包括BG 3130 H6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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