| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
|---|
|
BFU730F,115 |
NXP Semiconductors
|
4-DFP |
92,424 |
射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
|
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續(xù)電流：5 mA，功率耗散：197 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：SO... |
|
|
BFU760F,115 |
NXP Semiconductors
|
4-DFP |
1,293 |
射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
|
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續(xù)電流：70 mA，功率耗散：220 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：S... |
|
|
BFU790F,115 |
NXP Semiconductors
|
4-DFP |
16,801 |
射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
|
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續(xù)電流：100 mA，功率耗散：234 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：... |
|
|
BFU710F,115 |
NXP Semiconductors
|
4-DFP |
10,030 |
射頻硅鍺晶體管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
|
| 參數(shù)：制造商：NXP，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1 V，集電極連續(xù)電流：10 mA，功率耗散：136 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，封裝形式：S... |
|
BFR 740L3RH E6327 |
Infineon Technologies
|
TSLP |
|
射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：160 mW，封裝形式：TSLP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，... |
|
BFR 750L3RH E6327 |
Infineon Technologies
|
|
|
射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFR750L3，工廠包裝數(shù)量：1，零件號(hào)別名：BFR750L3RH... |
|
|
BFR 705L3RH E6327 |
Infineon Technologies
|
PG-TSLP-3 |
|
射頻硅鍺晶體管 NPN Silicn Germanium RF Transistor |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，功率耗散：40 mW，封裝形式：TSLP，包裝形式：Reel，最大工作溫度：+ 150 C，最... |
|
BFP 620 E7764 |
Infineon Technologies
|
SOT-343 |
|
射頻硅鍺晶體管 NPN 2.3 V 80 mA |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，功率耗散：185 mW，安裝風(fēng)格：SMD/SMT，... |
|
BFP 620 H7764 |
Infineon Technologies
|
|
|
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP620，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號(hào)別名：BFP620H77... |
|
BFP 620F E7764 |
Infineon Technologies
|
4-TSFP |
|
射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：0.08 A，功率耗散：185 m... |
|
|
BFP 620F H7764 |
Infineon Technologies
|
|
|
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP620，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號(hào)別名：BFP620FH7... |
|
|
BFP 640 E6327 |
Infineon Technologies
|
SOT-343 |
|
射頻硅鍺晶體管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：50 mA，功率耗散：200 mW... |
|
|
BFP 640 H6327 |
Infineon Technologies
|
|
2000 |
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號(hào)別名：BFP640H63... |
|
BFP 640 H6433 |
Infineon Technologies
|
PG-SOT343-3D |
|
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：10000，零件號(hào)別名：BFP640H6433XT，... |
|
|
BFP 640ESD E6327 |
Infineon Technologies
|
|
|
射頻硅鍺晶體管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BFP640ESDE6327XT，... |
|
|
BFP 640ESD H6327 |
Infineon Technologies
|
|
311 |
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，零件號(hào)別名：BFP640ESDH6327XT BFP640ESDH6327XTS... |
|
|
BFP 640F E6327 |
Infineon Technologies
|
TSFP |
3 |
射頻硅鍺晶體管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：1.2 V，集電極連續(xù)電流：0.05 A，功率耗散：200 m... |
|
|
BFP 640F H6327 |
Infineon Technologies
|
|
|
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類(lèi)：射頻硅鍺晶體管，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，工廠包裝數(shù)量：3000，零件號(hào)別名：BFP640FH6... |
|
|
BFP 640FESD E6327 |
Infineon Technologies
|
4-TSFP |
|
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTORS |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號(hào)別名：BFP640FESDE6327XT，... |
|
|
BFP 640FESD H6327 |
Infineon Technologies
|
|
|
射頻硅鍺晶體管 RF BI |
|
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，系列：BFP640，零件號(hào)別名：BFP640FESDH6327XT BFP640FESDH6327X... |
