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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
SQJ412EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 40V 32A 83W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:32 A,電阻汲極/...
點(diǎn)擊查看SQJ456EP-T1-GE3參考圖片 SQJ456EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 100V 32A 83W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:32 A,電阻汲極/...
SQJ460EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 60V 32A 83W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點(diǎn)擊查看SQJ461EP-T1-GE3參考圖片 SQJ461EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 60V 30A 83W P-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 30 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看SQJ463EP-T1-GE3參考圖片 SQJ463EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 30 A,電阻汲...
SQJ469EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 80V 32A 100W P-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 32 A,電阻汲...
點(diǎn)擊查看SQJ840EP-T1-GE3參考圖片 SQJ840EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 30V 30A 46W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:30 A,電阻汲極/...
點(diǎn)擊查看SQJ844EP-T1-GE3參考圖片 SQJ844EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 30V 8A 48W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8 A,電阻汲極/源...
點(diǎn)擊查看SQJ848EP-T1-GE3參考圖片 SQJ848EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SQJ850EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:24 A,電阻汲極/...
點(diǎn)擊查看SQJ912EP-T1-GE3參考圖片 SQJ912EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SQJ941EP-T1-GE3參考圖片 SQJ941EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 雙 MOSFET 30V 8A 55W P-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 8 A,電阻汲極...
SQJ960EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L Dual MOSFET 60V 8A 34W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點(diǎn)擊查看SQJ962EP-T1-GE3參考圖片 SQJ962EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 雙 MOSFET 60V 8A 25W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,漏極連續(xù)電流:8 A,電阻汲極/源極 ...
點(diǎn)擊查看SQJ964EP-T1-GE3參考圖片 SQJ964EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 60V 8A 35W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8 A,電阻汲極/源...
點(diǎn)擊查看SQJ970EP-T1-GE3參考圖片 SQJ970EP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK SO-8L MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:8 A,電阻汲極/源...
點(diǎn)擊查看SQM85N03-06P-GE3參考圖片 SQM85N03-06P-GE3 Vishay/Siliconix TO-263 MOSFET 30V 60A 100W N-Ch Automotive
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SQM85N10-10-GE3 Vishay/Siliconix TO-263 MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SQM85N15-19-GE3 Vishay/Siliconix TO-263 MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SQM100N04-3M5-GE3參考圖片 SQM100N04-3M5-GE3 Vishay/Siliconix TO-263 MOSFET 40V 100A 157W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...

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