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SQJ850EP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK SO-8L
數(shù)量：: 2412
說(shuō)明：: MOSFET 60V 24A 45W N-Ch Automotive

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SQJ850EP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SQJ850EP-GE3
功率耗散：45 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8L
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.023 Ohms
漏極連續(xù)電流：24 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQJ850EP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SQJ850EP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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