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SQJ960EP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK SO-8L Dual
數(shù)量：: 8811
說明：: MOSFET 60V 8A 34W

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SQJ960EP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SQJ960EP-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：34 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時(shí)間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8L Dual
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQJ960EP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SQJ960EP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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