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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SQM85N15-19-GE3

SQM85N15-19-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2691
說(shuō)明：: MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

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SQM85N15-19-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：170 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：170 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.019 Ohms
漏極連續(xù)電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：150 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM85N15-19-GE3的詳細(xì)信息，包括SQM85N15-19-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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