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SQJ912EP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK SO-8L
數(shù)量：: 8793
說明：: MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive

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SQJ912EP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SQJ912EP-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：33 nS
上升時間：21 nS
功率耗散：48 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：31.5 nC
下降時間：19 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.014 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQJ912EP-T1-GE3的詳細信息，包括SQJ912EP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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