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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > VQ1000P

VQ1000P

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-226AA-14
數(shù)量：: 8595
說明：: MOSFET QD 60V 0.225A

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VQ1000P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：25
功率耗散：1.3 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-226AA-14
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.225 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：過渡期間
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ1000P的詳細信息，包括VQ1000P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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