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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > VQ1001J

VQ1001J

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PDIP-14
數(shù)量：: 4788
說(shuō)明：: MOSFET QD 30V 0.83A

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VQ1001J PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：25
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
封裝形式：PDIP-14
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.83 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是VQ1001J的詳細(xì)信息，包括VQ1001J廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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