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VQ1001P

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 14-DIP
數(shù)量：: 8622
說明：: MOSFET QD 30V 0.53A

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VQ1001P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：SBCDIP-14
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.83 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：過渡期間
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ1001P的詳細信息，包括VQ1001P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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