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TK5Q60W,S1VQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: I-Pak
數(shù)量：: 4005
說明：: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK

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TK5Q60W,S1VQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 270μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：900 毫歐 @ 2.7A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5.4A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：DTMOSIV
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK5Q60W,S1VQ的詳細(xì)信息，包括TK5Q60W,S1VQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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