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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK5R3E08QM,S1X

TK5R3E08QM,S1X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 3996
說明：: UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM

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TK5R3E08QM,S1X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3980 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 700μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.3 毫歐 @ 50A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSX-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK5R3E08QM,S1X的詳細(xì)信息，包括TK5R3E08QM,S1X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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