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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK5R1A08QM,S4X

TK5R1A08QM,S4X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數(shù)量：: 4157
說明：: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM

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TK5R1A08QM,S4X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3980 pF @ 40 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 700μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.1 毫歐 @ 35A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：80 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSX-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK5R1A08QM,S4X的詳細(xì)信息，包括TK5R1A08QM,S4X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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