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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STB120N10F4

STB120N10F4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 2988
說明：: MOSFET N-CH 100V D2PAK

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STB120N10F4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：-
技術(shù)：-
FET 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

以上是STB120N10F4的詳細信息，包括STB120N10F4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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