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STB12NM50FDT4

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 D2PAK
數(shù)量:
 4671  
說明:
 MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
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STB12NM50FDT4-D2PAK圖片

STB12NM50FDT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:39 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:10 ns
功率耗散:160 W
最小工作溫度:- 65 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :9.8 S
下降時間:18 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB12NM50FDT4的詳細信息,包括STB12NM50FDT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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