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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STB120N4F6

STB120N4F6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 5418
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

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STB120N4F6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：110 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：65 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：D2-PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4 mOhms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB120N4F6的詳細(xì)信息，包括STB120N4F6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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