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SQJ850EP-T1_GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 12531  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8
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SQJ850EP-T1_GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SQJ850EP-T1_GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:PowerPAK? SO-8
封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
同步整流器:45W(Tc)
頻率 - 開關(guān):-
電流 - 輸出:1225 pF @ 30 V
電壓 - 輸出(最大值):±20V
電壓 - 輸出(最小值/固定):30 nC @ 10 V
電壓 - 輸入(最大值):2.5V @ 250μA
電壓 - 輸入(最小值):23 毫歐 @ 10.3A,10V
輸出數(shù):4.5V,10V
輸出類型:24A(Tc)
拓?fù)洌?0 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

以上是SQJ850EP-T1_GE3的詳細(xì)信息,包括SQJ850EP-T1_GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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