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SIR850DP-T1-GE3

廠(chǎng)家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 3069
說(shuō)明：: MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V

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SIR850DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIR850DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：41.7 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：85 S
下降時(shí)間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0073 Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIR850DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIR850DP-T1-GE3廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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