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SIR876ADP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 16135  
說明:
 MOSFET 100V 10.8mOhm@10V 40A N-Ch MV T-FET
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SIR876ADP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR876ADP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIR876ADP-GE3
典型關閉延遲時間:55 ns
上升時間:16 ns
功率耗散:62.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:32.8 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :54 S
下降時間:16 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):10.8 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:40 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR876ADP-T1-GE3的詳細信息,包括SIR876ADP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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