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SIR862DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 3213  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
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SIR862DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR862DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.8 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:50A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2.3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:90nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :3800pF @ 10V
功率 - 最大:69W
安裝類型:表面貼裝

以上是SIR862DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIR862DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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