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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SUPER-247?（TO-274AA）
數(shù)量：: 5256
說(shuō)明：: MOSFET 500V 130mOhm@10V 36A N-Ch D-SRS

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SIHS36N50D-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：79 ns
上升時(shí)間：89 ns
功率耗散：446 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：125 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12.8 S
下降時(shí)間：68 ns
封裝形式：Super-247
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：130 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：36 A
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHS36N50D-E3的詳細(xì)信息，包括SIHS36N50D-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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