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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-251AA
數(shù)量：: 5310
說明：: MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

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SIHU7N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 55 C
封裝形式：IPAK (TO-251)
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：600 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：7 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHU7N60E-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHU7N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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