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SIHU3N50D-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
數(shù)量:
 5265  
說明:
 MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS
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SIHU3N50D-E3-TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA圖片

SIHU3N50D-E3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SIHU3N50D-GE3
功率耗散:104 W
包裝形式:Bulk
封裝形式:IPAK (TO-251)
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.2 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:3 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHU3N50D-E3的詳細(xì)信息,包括SIHU3N50D-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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