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SIHP8N50D-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 5527  
說明:
 MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V
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SIHP8N50D-GE3-TO-220-3圖片

SIHP8N50D-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SIHP8N50D-E3
上升時(shí)間:16 ns
功率耗散:156 W
柵極電荷 Qg:15 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3 S
下降時(shí)間:11 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):850 mOhms
漏極連續(xù)電流:8.7 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP8N50D-GE3的詳細(xì)信息,包括SIHP8N50D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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