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SIHD1K4N60E-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: D-Pak
數(shù)量：: 2412
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

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SIHD1K4N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：172 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.5 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.45 歐姆 @ 500mA，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.2A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：E
系列：散裝
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIHD1K4N60E-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHD1K4N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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