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SIHD5N50D-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 4599
說明：: MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS

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SIHD5N50D-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SIHD5N50D-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時間：11 ns
功率耗散：104 W
柵極電荷 Qg：10 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.8 S
下降時間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK (TO-252)
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.5 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：5.3 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHD5N50D-GE3的詳細信息，包括SIHD5N50D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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