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SIHD7N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 4786  
說明:
 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
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SIHD7N60E-GE3-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

SIHD7N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:48 ns
上升時間:26 ns
功率耗散:78 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:40 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :1.9 S
下降時間:28 ns
封裝形式:DPAK (TO-252)
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):600 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:7 A
閘/源擊穿電壓:4 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHD7N60E-GE3的詳細信息,包括SIHD7N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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