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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SIHB6N80E-GE3

SIHB6N80E-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 3717
說明：: MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK

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SIHB6N80E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：78W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：827 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：44 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：940 毫歐 @ 3A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5.4A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：800 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：E
系列：管件
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIHB6N80E-GE3的詳細信息，包括SIHB6N80E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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