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SIHB30N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 5535
說明：: MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

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SIHB30N60E-GE3-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

SIHB30N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：63 ns
上升時(shí)間：32 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：85 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5.4 S
下降時(shí)間：36 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK (TO-263)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：125 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB30N60E-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHB30N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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