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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: 4-Micro Foot（1x1）
數(shù)量：: 1926
說明：: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT

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SI8410DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：780mW（Ta），1.8W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：620 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：16 nC @ 8 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：37 毫歐 @ 1.5A，4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3.8A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：20 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：TrenchFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SI8410DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8410DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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