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SI8416DB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-UFBGA
數(shù)量:
 12155  
說明:
 MOSFET 8V 16A 13W 23mOhms @ 4.5V
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SI8416DB-T2-E1-6-UFBGA圖片

SI8416DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:80 ns
商標(biāo)名:MICROFOOT TrenchFET
上升時間:30 ns
功率耗散:13 W
柵極電荷 Qg:26 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :22 S
下降時間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.023 Ohms
漏極連續(xù)電流:16 A
閘/源擊穿電壓:0.8 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8416DB-T2-E1的詳細信息,包括SI8416DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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