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SI8419DB-T1-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: Micro Foot-4
數(shù)量：: 1503
說明：: MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

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SI8419DB-T1-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI8419DB-E1
典型關閉延遲時間：260 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：25 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：155 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.035 Ohms
漏極連續(xù)電流：7.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8419DB-T1-E1的詳細信息，包括SI8419DB-T1-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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