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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4967DY-E3

SI4967DY-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 6966
說明：: MOSFET 12V 7.5A 2W

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SI4967DY-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：210 ns
上升時(shí)間：40 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：95 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：23 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4967DY-E3的詳細(xì)信息，包括SI4967DY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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