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SI4972DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 1710  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 10.8/7.2A 14.5/26.5mohm @ 10V
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SI4972DY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4972DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SI4972DY-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns at Channel 1 , 29 ns at Channel 1 , 22 ns at Channel 2 , 19 ns at Channel 2
工廠包裝數(shù)量:2500
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):14.5 mOhms, 26 mOhms
漏極連續(xù)電流:8.7 A, 6.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4972DY-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI4972DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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