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SI4974DY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 4320  
說明:
 MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
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SI4974DY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4974DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI4974DY-E3
典型關(guān)閉延遲時間:22 ns, 15 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:12 ns, 11 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :19 S, 13 S
下降時間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):19 mOhms, 35 mOhms
漏極連續(xù)電流:8 A, 6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4974DY-T1-E3的詳細信息,包括SI4974DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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