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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4965DY-E3

SI4965DY-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 6912
說明：: MOSFET 8V 8A 2W

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SI4965DY-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：170 ns
工廠包裝數(shù)量：100
上升時(shí)間：45 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：90 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：21 mOhms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4965DY-E3的詳細(xì)信息，包括SI4965DY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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