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SI4966DY-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 6939
說明：: MOSFET 20V 7.1A 2W

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SI4966DY-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：90 ns
工廠包裝數量：100
上升時間：40 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：40 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：25 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4966DY-E3的詳細信息，包括SI4966DY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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