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SI4501DY

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 1953  
說明:
 MOSFET 30/8V 9/6.2A
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SI4501DY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:35 ns, 110 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時(shí)間:9 ns, 50 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:17 ns, 60 ns
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):18 mOhms, 42 mOhms
漏極連續(xù)電流:9 A, 6.2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V, 8 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI4501DY的詳細(xì)信息,包括SI4501DY廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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