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SI4505DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7137
說明：: MOSFET N/P-CH 8-SOIC

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SI4505DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18 毫歐 @ 7.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V, 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：6A, 3.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.2W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4505DY-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI4505DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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