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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI4505DY-T1

SI4505DY-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數(shù)量：: 873
說(shuō)明：: MOSFET 30/8V 7.8/5.0A 1.2W

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SI4505DY-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns at N Channel, 60 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
功率耗散：1.2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：8 ns at N Channel, 45 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：18 mOhms, 42 mOhms
漏極連續(xù)電流：6.5 A, 3.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V, 8 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4505DY-T1的詳細(xì)信息，包括SI4505DY-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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