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RF1S40N10LESM9A

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB
數(shù)量:
 1260  
說明:
 MOSFET 100V Single
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RF1S40N10LESM9A-TO-263AB圖片

RF1S40N10LESM9A PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:70 ns
上升時(shí)間:140 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:65 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.04 Ohms
漏極連續(xù)電流:40 A
閘/源擊穿電壓:+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RF1S40N10LESM9A的詳細(xì)信息,包括RF1S40N10LESM9A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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