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RF1S640SM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 1296
說明：: MOSFET N-Ch Power MOSFET 200V/18a/0.180 Ohm

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RF1S640SM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：46 ns
上升時(shí)間：50 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S640SM的詳細(xì)信息，包括RF1S640SM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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