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RF1S4N100SM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 1278
說明：: MOSFET TO-263

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RF1S4N100SM PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：170 ns
上升時間：50 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RF1S4N100SM的詳細信息，包括RF1S4N100SM廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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